输入电压4.5V~20V
输入耐压22V
充电电流3A
充电方式升降压充电
充电频率500KHZ
同步整流是
电压可调是
电流可调是
NTC带
使能带
MOS管内置是
封装QFN3*4
较少包装5000
特性：
·集成低RDS(on) 功率 MOSFET
·宽输入范围: 4.2V-21.0V, 支持1-4芯电池充电
·全充电电压可以通过外部电阻器进行编程
·率
JW3655E芯片是一种高速光通信芯片，由美国的光通信芯片设计公司JW化学公司开发。它采用了的SiGe BiCMOS工艺，具有高速、低功耗、低噪声和高灵敏度等特点，可以用于光纤通信、数据中心、云计算、卫星通信和无线通信等领域。
JW3655E芯片还具有自适应等化器和前向纠错等功能，可以提高数据传输的可靠性和稳定性。该芯片已经广泛应用于光通信市场，并受到了客户的高度评价。
JW3655E芯片具有低功耗、高性能、高可靠性等特点，适用于数据中心、云计算、通信基础设施等领域。该芯片的应用可以提高光通信系统的传输速率和可靠性，降低能耗和成本，促进光通信技术的发展和应用。
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